Micron昨天正式宣布，他已经根据第六代的10 nm水平推出了记忆LPDDR5X DRAM（该公司称其为1γ，其他制造商（例如三星和SK Hynix）称为1C）。新的1γLPDR5X内存可以达到高达10.7 Gbps的数据传输速率（即10667mt/s）。同时，其能源消耗降低了约20％，从而改善了移动设备的能源性能。此外，与上一代1βLPDDR5X相比，该记忆模块的厚度降至0.61 mm，比市场上当前的主要产品少14％。这种改进为超越设计的设计和内部空间优化提供了更大的空间，以折叠智能手机。 1γ过程是Micron首次将极端紫外线光刻技术（EUV）应用于DRAM生产，并用于DDR5产品。 CurrentMind，Micron提供的1γLPDDR5X样品，容量为16 GB作品，将提供从8 GB到32 GB的各种容量选择。该配备存储器的产品计划于2026年推出，主要用于旗舰电话市场。